规格参数
| 工艺节点 | 28nm FD-SOI/HPC+（具体工艺请咨询） |
|---|---|
| 处理器内核 | Cortex-M4F + 自研NPU |
| 通信协议 | Wi-Fi 6/BLE 5.2/LoRa |
| 工作温度 | -40℃~85℃ |
| 封装形式 | FCBGA 7x7mm（支持定制） |
| 数据安全 | AES-256加密IP（自研硅验证） |
产品详情
苏州思立特尔半导体科技有限公司（品牌SILITEL）基于物联网芯片领域持续增长的市场需求，推出了一款面向智能硬件的28nm低功耗SoC设计解决方案。该方案以某无线物联网芯片项目为典型案例，针对工业物联网设备对高集成度、低功耗和快速量产的核心需求，提供从架构设计到流片交付的全流程服务，助力客户缩短研发周期并降低试错成本。
项目背景与行业趋势
根据IDC预测，2025年全球物联网设备连接数将突破416亿，工业物联网（IIoT）场景中对边缘计算芯片的需求年增长率超过18%。然而，中小芯片设计公司普遍面临三大挑战：先进工艺适配经验不足、IP复用率低导致的重复开发成本、以及流片试错风险高。思立特尔基于服务国家电网、中国电科等企业的技术积累，针对28nm工艺节点开发了一套成熟的IoT SoC设计框架。
需求分析与技术难点
某工业传感器厂商需开发一款支持Wi-Fi 6和BLE 5.2的双模物联网芯片，要求实现-40℃~85℃宽温工作、待机功耗低于5μA，且需在6个月内完成流片。项目难点在于：28nm FD-SOI工艺的低功耗设计经验稀缺、多协议射频干扰优化、以及满足车规级可靠性的测试覆盖率要求。
技术方案与实施路径
思立特尔采用分层设计策略：
- 架构层：基于Arm Cortex-M4F内核搭配自研NPU加速器，集成1660+项成熟IP中的Wi-Fi/BLE射频基带模块
- 物理层：采用多电压域设计和时钟门控技术，通过SMIC 28nm HPC+工艺实现漏电流降低35%
- 验证层：搭建UPF低功耗模型，运用VCS+Verdi工具链完成98%以上的代码覆盖率
项目实施中，团队依托Microsoft Project/SVN/JIRA体系实现节点管控，在18周内完成从RTL到GDS的全流程设计，并通过DFT测试向量插入将芯片缺陷覆盖率提升至99.3%。
项目成果与市场价值
该芯片一次MPW流片成功，实测待机功耗3.8μA，射频发射功耗较竞品降低22%，已应用于工业网关和智能电表领域。客户反馈显示，通过思立特尔的全流程服务，研发投入减少40%，产品上市周期缩短至5.5个月，首批量产芯片已通过IPC-A-610G Class 3**。
服务优势与能力验证
项目成功印证了思立特尔的三大核心竞争力：
- 工艺覆盖能力：28nm到12nm全节点流片经验，支持TSMC、SMIC等7大FAB代工
- IP资源池：复用1660+项验证过的IP模块，包括PCIe 3.0、DDR3等高速接口
- 风险管理：通过DFT可测试性设计和信号完整性仿真，将流片成功率维持在96%以上
规格参数
- 工艺节点: 28nm FD-SOI/HPC+（具体工艺请咨询）
- 处理器内核: Cortex-M4F + 自研NPU
- 通信协议: Wi-Fi 6/BLE 5.2/LoRa
- 工作温度: -40℃~85℃
- 封装形式: FCBGA 7x7mm（支持定制）
- 数据安全: AES-256加密IP（自研硅验证）
如需获取详细技术方案或探讨合作，请联系：思立特尔 18013140983，地址：苏州市高新区宝带西路1566号新锐科创中心2号楼903号。参数以实际交付为准，具体设计需求可定制开发。